Reballing automático de BGA IC

Máquina automática de reballing óptico BGA IC 

1.Aplicación de la máquina reballing óptica BGA IC automática

Trabaja con todo tipo de placas base o PCBA.

Soldar, reballear, desoldar diferentes tipos de chips: BGA,PGA,POP,BQFP,QFN,SOT223,PLCC,TQFP,TDFN,TSOP,

PBGA, CPGA, chip LED.

 

2.Características del producto deÓptico AutomáticoMáquina de reballing BGA IC

 

3.Especificación deMáquina automática de reballing óptico BGA IC

4.Detalles deMáquina automática de reballing óptico BGA IC

 

5. ¿Por qué elegir nuestroMáquina automática de reballing óptico BGA IC? 

 

6.Certificado deMáquina automática de reballing óptico BGA IC

Certificados UL, E-MARK, CCC, FCC, CE ROHS. Mientras tanto, para mejorar y perfeccionar el sistema de calidad,

Dinghua ha pasado la certificación de auditoría in situ ISO, GMP, FCCA y C-TPAT.

 

7.Embalaje y envío deMáquina automática de reballing óptico BGA IC

 

 

8.Envío paraMáquina automática de reballing óptico BGA IC

DHL/TNT/FEDEX. Si desea otro plazo de envío, díganos. Te apoyaremos.

 

9. Condiciones de pago

Transferencia bancaria, Western Union, Tarjeta de crédito.

Por favor díganos si necesita otro soporte.

 

10. ¿Cómo funciona la máquina automática de reballing BGA IC DH-A2?

 

 

 

11. Conocimientos relacionados

Acerca del chip flash

Determinantes del chip flash

Número de páginas

Como se mencionó anteriormente, cuanto más grande sea la página del flash de mayor capacidad, cuanto más grande sea la página, mayor será el tiempo de direccionamiento.

Pero la extensión de este tiempo no es una relación lineal, sino paso a paso. Por ejemplo, un chip de 128, 256 Mb requiere 3

ciclos para transmitir una señal de dirección, 512 Mb, 1 Gb requiere 4 ciclos y 2, 4 Gb requiere 5 ciclos.

Capacidad de página

La capacidad de cada página determina la cantidad de datos que se pueden transferir a la vez, por lo que una página de gran capacidad tiene

mejor rendimiento. Como se mencionó anteriormente, la memoria flash de gran capacidad (4 Gb) aumenta la capacidad de la página de 512 bytes a 2 KB.

El aumento de la capacidad de páginas no solo facilita el aumento de la capacidad, sino que también mejora el rendimiento de la transmisión.

Podemos dar un ejemplo. Tomemos como ejemplos Samsung K9K1G08U0M y K9K4G08U0M. El primero es de 1 Gb, capacidad de página de 512-bytes,

el tiempo de lectura aleatoria (estable) es de 12 μs, el tiempo de escritura es de 200 μs; este último es de 4 Gb, capacidad de página de 2 KB, tiempo de lectura aleatoria (estabilidad) de 25 μs, escritura

El tiempo es de 300μs. Supongamos que funcionan a 20MHz.

Rendimiento de lectura: los pasos de lectura de la memoria flash NAND se dividen en: enviar comando e información de direccionamiento → transferir

registro de datos a página (tiempo estable de lectura aleatoria) → transferencia de datos (8 bits por ciclo, es necesario transmitir 512+16 o 2K+ 64 veces).

K9K1G08U0M leer una página necesita: 5 comandos, ciclo de direccionamiento × 50ns + 12μs + (512 + 16) ​​× 50ns=38.7μs; K9K1G08U0M real

tasa de transferencia de lectura: 512 bytes ÷ 38,7 μs=13.2 MB/s; K9K4G08U0M leer una página Requiere: 6 comandos, período de direccionamiento × 50 ns +

25μs + (2K + 64) × 50ns=131.1μs; Tasa de transferencia de lectura real de K9K4G08U0M: 2 KB bytes ÷ 131,1 μs=15.6 MB/s. Por lo tanto, utilizando un

La capacidad de página de 2 KB a 512 bytes también aumenta el rendimiento de lectura en aproximadamente un 20 %.

Rendimiento de escritura: los pasos de escritura de la memoria flash NAND se dividen en: enviar información de direccionamiento → transferir datos

al registro de la página → envío de información de comando → los datos se escriben desde el registro a la página. El ciclo de mando también lo es.

Lo fusionaremos con el ciclo de direcciones a continuación, pero las dos partes no son continuas.

K9K1G08U0M escribe una página: 5 comandos, período de direccionamiento × 50ns + (512 + 16) × 50ns + 200μs=226.7μs. K9K1G08U0M real

tasa de transferencia de escritura: 512 bytes ÷ 226,7μs=2.2MB/s. K9K4G08U0M escribe una página: 6 comandos, período de direccionamiento × 50 ns + (2K + 64)

× 50ns + 300μs=405.9μs. Velocidad de transferencia de escritura real del K9K4G08U0M: 2112 bytes/405,9 μs=5MB/s. Por lo tanto, utilizando una capacidad de página de 2 KB

aumenta el rendimiento de escritura en más del doble de la capacidad de la página de 512-bytes.

Capacidad de bloque

El bloque es la unidad básica de la operación de borrado. Dado que el tiempo de borrado de cada bloque es casi el mismo (la operación de borrado generalmente toma

2 ms, y el tiempo ocupado por el comando y la información de dirección de varios ciclos anteriores es insignificante), la capacidad del bloque

determinarse directamente. Borrar rendimiento. La capacidad de páginas de la memoria flash tipo NAND de gran capacidad aumenta y el número

También se mejora el número de páginas por bloque. Generalmente, la capacidad de bloque del chip de 4 Gb es de 2 KB × 64 páginas=128 KB, y el chip de 1 Gb es de 512 bytes

× 32 páginas=16 KB. ¡Se puede ver que al mismo tiempo, la velocidad de frotamiento del primero es 8 veces mayor que la del segundo!

Ancho de bits de E/S

En el pasado, las líneas de datos de las memorias flash tipo NAND eran generalmente ocho, pero en los productos de 256 Mb, había 16 líneas de datos. Sin embargo,

Debido a los controladores y otras razones, la aplicación real de chips x16 es relativamente pequeña, pero el número seguirá aumentando en el futuro.

. Aunque el chip x16 todavía usa 8-grupos de bits al transmitir datos e información de direcciones, el ciclo no cambia, pero los datos se transmiten.

en {{0}}grupos de bits y el ancho de banda se duplica. El K9K4G16U0M es un chip típico de 64M×16, que sigue siendo de 2KB por página, pero la estructura es (1K+32)×16bit.

Imite los cálculos anteriores, obtenemos lo siguiente. K9K4G16U0M necesita leer una página: 6 comandos, período de direccionamiento × 50 ns + 25μs +

(1K + 32) × 50ns=78.1μs. K9K4G16U0M velocidad de transferencia de lectura real: 2 KB bytes ÷ 78,1 μs=26.2 MB/s. K9K4G16U0M escribe una página: 6 comandos,

período de direccionamiento × 50ns + (1K + 32) × 50ns + 300μs=353.1μs. Velocidad de transferencia de escritura real del K9K4G16U0M: 2 KB bytes ÷ 353,1 μs=5.8 MB/s

Se puede ver que con la misma capacidad del chip, después de aumentar la línea de datos a 16 líneas, el rendimiento de lectura mejora en casi un 70%.

y el rendimiento de escritura también mejora en un 16%.

Frecuencia. El impacto de la frecuencia de trabajo es fácil de entender. La frecuencia de funcionamiento de la memoria flash NAND es de 20 a 33 MHz, y cuanto mayor

Cuanto mayor sea la frecuencia, mejor será el rendimiento. En el caso de K9K4G08U0M, asumimos que la frecuencia es de 20MHz. Si duplicamos la frecuencia a 40MHz,

entonces K9K4G08U0M necesita leer una página: 6 comandos, período de direccionamiento × 25 ns + 25μs + (2K + 64) × 25 ns=78μs . Tasa de transferencia de lectura real K9K4G08U0M:

2KB bytes ÷78μs=26.3MB/s. Se puede ver que si la frecuencia operativa del K9K4G08U0M aumenta de 20MHz a 40MHz, el rendimiento de lectura puede

¡Se mejorará en casi un 70%! Por supuesto, el ejemplo anterior es sólo por conveniencia. En la línea de productos actual de Samsung, el K9XXG08UXM, en lugar del K9XXG08U0M,

Puede funcionar a frecuencias más altas. El primero puede alcanzar los 33MHz.